美光后里記憶體廠 傳火警

臺灣美光（Micron）后里廠昨（20）日下午發生火警，起火原因由消防局調查中。據瞭解，起火區域應是美光臺中舊廠，並非整合整合先進探測與封裝測試功能以量產 HBM3E及其他產品的臺中四廠，實際影響有限，業界仍關注後續影響，並尚待公司對外說明。

業界觀察，美光火警地點應爲舊廠區，且立即撲滅，預期實際影響有限。至於最先進的臺中四廠未受影響，該廠是2023年啓用。當時美光說明，臺中四廠將推動臺灣先進DRAM【DRAM】指動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM），是電子系統產品不可或缺的零組件，廣泛用於筆電、智慧手機、電視、印表機等3C終端產品，主要用來暫存終端裝置運作時需要的資料或檔案，使得整體裝置運作效能更快。DRAM屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）裝置，存在DRAM的資料會在電力切斷以後很快消失。製程技術的開發和量產，並整合先進探測與封裝測試功能，以量產HBM3E及其他產品。