中國版「曼哈頓計劃」打造出EUV原型機　半導體技術差距縮短一半

▲荷蘭ASML科技獨步全球，中國爲實現晶片自主，正努力追趕。（示意圖／路透）

記者張靖榕／綜合報導

路透社17日披露，中國政府招募多名前荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）前工程師，透過逆向工程方式，在深圳一處高度戒備的實驗室內，成功打造出半導體制造關鍵設備「極紫外光機」（EUV）的原型機。這項進展震撼西方，EUV長期以來被視爲科技冷戰的核心技術，也是美國多年來試圖全面阻止中國取得的先進製程關鍵。

艾司摩爾前工程師逆向工程取得成功

知情人士指出，這部EUV原型機已於今年完成組裝並啓動運轉，機體幾乎佔滿整個機房，由一批曾任職艾司摩爾的工程師建造，其中包括多名已退休的華裔工程師。該設備目前已能成功產生極紫外光，但尚未具備量產可用晶片的能力。

今年4月，艾司摩爾執行長富凱（Christophe Fouquet）曾表示，中國若要自行發展EUV技術，仍需「很多、很多年」。然而，路透首度揭露的這項原型機顯示，中國在半導體自主化進程上的速度，已明顯快於多數分析師原先預期。

打破專家預期，但中國仍需約近5年時間才追上

不過，相關人士也強調，中國仍面臨重大技術瓶頸，特別是在複製西方供應商生產的高精度光學系統方面，難度依然極高。兩名知情者透露，中國之所以能完成原型機，部分原因在於可透過二手市場取得艾司摩爾較舊世代的零組件。

中國官方爲該計劃設定的目標，是在2028年前利用這部EUV原型機制造可用晶片；不過，接近計劃的專家認爲，較爲現實的時程可能落在2030年。即便如此，仍遠早於過去普遍認爲中國至少需10年才能追趕西方先進晶片製程的判斷。

這項進展被視爲中國政府6年來全力推動半導體自主政策的重要成果，而半導體自主正是中國國家主席習近平的核心戰略之一。與官方公開的產業政策不同，深圳的EUV計劃全程秘密進行。

中國目標：美國OUT，100％紅色供應鏈

知情人士指出，該計劃由習近平親信、中共中央科技委員會主任丁薛祥主導，中國科技巨頭華爲在其中扮演關鍵協調角色。相關人士形容，這項行動堪稱中國版的「曼哈頓計劃」，對標美國二戰時期研發原子彈的國家級工程。

一名知情者直言，中國的終極目標，是在完全國產的設備上生產先進晶片，「中國希望把美國百分之百踢出供應鏈」。

目前全球僅有艾司摩爾一家掌握完整EUV技術，一臺EUV設備造價約2.5億美元（約新臺幣79億元），是生產輝達、超微等公司設計之最先進晶片不可或缺的關鍵設備。艾司摩爾於2001年打造首臺EUV原型機，並耗費近20年、投入數十億歐元研發，才於2019年正式量產商用晶片。美國盟友，包括臺灣、南韓與日本，目前均能取得艾司摩爾的EUV系統。