臺積電暫緩導入High-NA EUV

臺積電指出，新一代High-NA EUV單臺售價超過3.5億歐元，約爲現行設備兩倍以上。在成本與投資報酬考量下，公司將持續以既有EUV設備爲基礎，透過製程整合（DTCO）與材料創新延續微縮路徑，而非急於導入新世代設備。張曉強強調，臺積電已在既有EUV技術上累積深厚優化能力，能持續縮小晶片尺寸並提升效能。

隨AI與高效能運算（HPC）需求快速成長，臺積電同步上修產業長期展望，預估全球半導體產值將於2030年突破1.5兆美元，高於市場原先預期的1兆美元規模。其中，AI與HPC應用佔比將超過55％，成爲推動產業成長的核心動能。

不過，技術路徑正出現轉變。業界分析，未來晶片效能提升將不再單純依賴製程節點推進，而是轉向系統整合，包括先進封裝、Chiplet架構與記憶體整合等。臺積電選擇延後High-NA EUV導入，意味着「EUV優化」將成主流策略，並帶動產業價值鏈重新分配。

供應鏈指出，臺積電正強化關鍵材料與耗材自主能力，例如自制EUV光罩護膜（pellicle），以延長光罩使用壽命並降低成本，同時減少對外部供應鏈依賴。EUV護膜涉及極高技術門檻，在13.5奈米波長下，材料厚度與透光率控制攸關曝光精度，已成關鍵競爭環節。

在設備端，High-NA EUV導入時程遞延，短期對供應鏈影響偏中性。法人指出，AI需求帶動晶圓廠持續擴產，既有Low-NA EUV與DUV設備仍維持強勁出貨動能，支撐ASML營運表現。臺系供應鏈方面，家登、帆宣、公準、翔名等相關廠商，營運可望維持穩健。

整體而言，在AI推動半導體產業邁向1.5兆美元規模之際，臺積電透過EUV優化、材料內製與先進封裝佈局，持續鞏固技術領先優勢。業界預期，High-NA EUV導入時點將延至更先進節點（如A10世代），而在此過程中，臺灣供應鏈將隨着技術重心轉移，迎來新一輪成長機會。